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　　高頻開關充電裝置結合脈寬調制(PWM)技術的研究和應用，使開關電源迅速發展。目前，開關頻率提高到25～500kH。左右，功率開關管器件已將縱向金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他新型器件等用于高頻開關電源回路，進一步提高了開關頻率及技術性能，使電源設備更小型化、輕量化。高頻開關整流裝置種類較多，其性能指標比以往的可控硅整流器和硅整流器等優越，詳細比較見表6-4。

　　表6-4    高頻開關整流裝置和可控硅、硅整流器充電裝置技術指標比較